삼성이 10나노대 D램 양산을 했다고 합니다. 특히 이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등이 적용된 혁신적 제품이라고 하는군요.

'초고집적 설계 기술'은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높일수 있고 초고속·초절전 설계 기술을 적용, 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있다고 합니다. 이와 함께 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'도 최초로 D램에도 적용하여 마의 한계를 뛰어넘었으며 '초균일 원자 유전막 형성 기술'도 채용, 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다고 합니다.

적어도 D램에 관한한 기술과 혁신은 따라갈 상대가 없는 듯합니다. 그렇지만 언젠가는 이 또한 기술의 한계에 다다를 것이고, D램이 더이상 필요 없어지는 시대 또한 올 것입니다. 지속적으로 혁신을 선도하기 위해서는 기술의 극복도 중요한 과제이겠지만 새로운 것으로의 전환도 준비해야 되지 않을까 생각을 해봅니다.